近期,在研發(fā)人員的不懈努力和不斷創(chuàng)新下,先導(dǎo)旗下子公司威科賽樂研發(fā)的大尺寸MPD芯片取得階段性突破!芯片的暗電流、結(jié)電容、響應(yīng)度數(shù)據(jù)以及可靠性驗(yàn)證等關(guān)鍵性能指標(biāo) 均達(dá)市場(chǎng)頭部企業(yè)水平!
大尺寸MPD芯片可應(yīng)用于監(jiān)測(cè)、光纖設(shè)備及數(shù)字通信等領(lǐng)域。不同于威科賽樂生產(chǎn)的以往產(chǎn)品,MPD芯片需要在InP基襯底上做外延生長(zhǎng),重新開發(fā)芯片工藝。從外延到芯片,從研發(fā)到生產(chǎn),威科賽樂研發(fā)團(tuán)隊(duì)直面挑戰(zhàn),全力攻堅(jiān)。目前,行業(yè)內(nèi)針對(duì)InP基材料的主流外延和芯片工藝尺寸為2英寸,并向3英寸過渡中。更大尺寸的襯底,意味著面臨著均勻性、產(chǎn)品良率等難題,同時(shí)也需要更具競(jìng)爭(zhēng)力的成本支撐。
在成本方面,威科賽樂作為先導(dǎo)科技集團(tuán)半導(dǎo)體生態(tài)圈的重要組成部分,公司擁有行業(yè)領(lǐng)先的產(chǎn)業(yè)鏈規(guī)模和成本優(yōu)勢(shì)。本次的大尺寸MPD產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)中,批量使用了先導(dǎo)的InP襯底。在制備高性能芯片的同時(shí),突破性使用4寸襯底,最終克服了外延均勻性、擴(kuò)散工藝、芯片流片等問題。相較于3寸襯底,使用4寸襯底的單顆芯片成本,降低了37.5%!
與此同時(shí),威科賽樂還兼顧了大尺寸MPD芯片的性能表現(xiàn),實(shí)現(xiàn)真正意義上的降本增效,做出了比肩業(yè)內(nèi)標(biāo)桿企業(yè)的產(chǎn)品。圖2為室溫下測(cè)得的芯片級(jí)MPD產(chǎn)品的暗電流、結(jié)電容及響應(yīng)度數(shù)據(jù)。即便對(duì)于直徑3000μm的芯片,暗電流的均值也在3nA級(jí)別,相同測(cè)試條件下滿足甚至低于市面常見規(guī)格。暗電流隨溫度變化的穩(wěn)定性,是表征芯片工作特性的重要指標(biāo)。芯片在封裝結(jié)束后,在變溫條件下測(cè)試后,威科賽樂MPD芯片展現(xiàn)出與行業(yè)標(biāo)桿企業(yè)同等水平的溫度穩(wěn)定性。圖3是[-20,100]℃下測(cè)得MPD芯片溫度穩(wěn)定曲線,對(duì)于500μm的芯片,在100℃時(shí),暗電流只比-20℃下高約30nA。
在生產(chǎn)方面,威科賽樂打破常規(guī)直接采用MOCVD設(shè)備做“擴(kuò)散”工藝。傳統(tǒng)的“擴(kuò)散”工藝,是通過擴(kuò)散爐來實(shí)現(xiàn)的,該工藝被廣泛應(yīng)用于大規(guī)模集成電路、光電器件和光導(dǎo)纖維等領(lǐng)域。但缺點(diǎn)主要為工藝操作繁瑣、損耗大、擴(kuò)散效率低。威科賽樂通過在MOCVD反應(yīng)室中直接擴(kuò)散,如圖6所示,在達(dá)到擴(kuò)散濃度的前提下,將工藝時(shí)間縮短至約20分鐘,簡(jiǎn)化了操作方式、降低了設(shè)備損耗、加快了流片節(jié)奏,充分解決了傳統(tǒng)擴(kuò)散爐工藝帶來的弊端。
威科賽樂始終秉承以客戶需求為中心的宗旨,兼具多方案芯片代工的能力以供客戶選擇。為了更好的匹配客戶在不同應(yīng)用端(模組)的驅(qū)動(dòng)方式,公司生產(chǎn)的MPD芯片在監(jiān)測(cè)、光纖設(shè)備及數(shù)字通信端具有高靈活性和功能性。

圖1 大尺寸MPD芯片顯微鏡實(shí)物圖
樣品咨詢:csm_sales@vitalchem.com
大尺寸MPD芯片可應(yīng)用于監(jiān)測(cè)、光纖設(shè)備及數(shù)字通信等領(lǐng)域。不同于威科賽樂生產(chǎn)的以往產(chǎn)品,MPD芯片需要在InP基襯底上做外延生長(zhǎng),重新開發(fā)芯片工藝。從外延到芯片,從研發(fā)到生產(chǎn),威科賽樂研發(fā)團(tuán)隊(duì)直面挑戰(zhàn),全力攻堅(jiān)。目前,行業(yè)內(nèi)針對(duì)InP基材料的主流外延和芯片工藝尺寸為2英寸,并向3英寸過渡中。更大尺寸的襯底,意味著面臨著均勻性、產(chǎn)品良率等難題,同時(shí)也需要更具競(jìng)爭(zhēng)力的成本支撐。
在成本方面,威科賽樂作為先導(dǎo)科技集團(tuán)半導(dǎo)體生態(tài)圈的重要組成部分,公司擁有行業(yè)領(lǐng)先的產(chǎn)業(yè)鏈規(guī)模和成本優(yōu)勢(shì)。本次的大尺寸MPD產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)中,批量使用了先導(dǎo)的InP襯底。在制備高性能芯片的同時(shí),突破性使用4寸襯底,最終克服了外延均勻性、擴(kuò)散工藝、芯片流片等問題。相較于3寸襯底,使用4寸襯底的單顆芯片成本,降低了37.5%!

圖2 不同尺寸MPD芯片實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)
樣品咨詢:csm_sales@vitalchem.com
與此同時(shí),威科賽樂還兼顧了大尺寸MPD芯片的性能表現(xiàn),實(shí)現(xiàn)真正意義上的降本增效,做出了比肩業(yè)內(nèi)標(biāo)桿企業(yè)的產(chǎn)品。圖2為室溫下測(cè)得的芯片級(jí)MPD產(chǎn)品的暗電流、結(jié)電容及響應(yīng)度數(shù)據(jù)。即便對(duì)于直徑3000μm的芯片,暗電流的均值也在3nA級(jí)別,相同測(cè)試條件下滿足甚至低于市面常見規(guī)格。暗電流隨溫度變化的穩(wěn)定性,是表征芯片工作特性的重要指標(biāo)。芯片在封裝結(jié)束后,在變溫條件下測(cè)試后,威科賽樂MPD芯片展現(xiàn)出與行業(yè)標(biāo)桿企業(yè)同等水平的溫度穩(wěn)定性。圖3是[-20,100]℃下測(cè)得MPD芯片溫度穩(wěn)定曲線,對(duì)于500μm的芯片,在100℃時(shí),暗電流只比-20℃下高約30nA。

圖3 MPD芯片變溫暗電流測(cè)試
大尺寸MPD芯片經(jīng)過了“高溫老化”和“高溫高濕雙85”的可靠性驗(yàn)證。高溫可靠性的檢測(cè)時(shí)間,超過1500小時(shí),暗電流變化幅度控制在5%以內(nèi),時(shí)長(zhǎng)遠(yuǎn)超業(yè)內(nèi)常規(guī)的[24,72]小時(shí)。“雙85”老化實(shí)驗(yàn)條件下,封測(cè)超過500小時(shí),暗電流穩(wěn)定維持在標(biāo)準(zhǔn)以下。
圖4 “高溫老化”實(shí)驗(yàn)曲線

圖5 高溫高濕“雙85”可靠性實(shí)驗(yàn)曲線
在生產(chǎn)方面,威科賽樂打破常規(guī)直接采用MOCVD設(shè)備做“擴(kuò)散”工藝。傳統(tǒng)的“擴(kuò)散”工藝,是通過擴(kuò)散爐來實(shí)現(xiàn)的,該工藝被廣泛應(yīng)用于大規(guī)模集成電路、光電器件和光導(dǎo)纖維等領(lǐng)域。但缺點(diǎn)主要為工藝操作繁瑣、損耗大、擴(kuò)散效率低。威科賽樂通過在MOCVD反應(yīng)室中直接擴(kuò)散,如圖6所示,在達(dá)到擴(kuò)散濃度的前提下,將工藝時(shí)間縮短至約20分鐘,簡(jiǎn)化了操作方式、降低了設(shè)備損耗、加快了流片節(jié)奏,充分解決了傳統(tǒng)擴(kuò)散爐工藝帶來的弊端。

圖6 公司使用的MOCVD設(shè)備
威科賽樂始終秉承以客戶需求為中心的宗旨,兼具多方案芯片代工的能力以供客戶選擇。為了更好的匹配客戶在不同應(yīng)用端(模組)的驅(qū)動(dòng)方式,公司生產(chǎn)的MPD芯片在監(jiān)測(cè)、光纖設(shè)備及數(shù)字通信端具有高靈活性和功能性。