襯底產(chǎn)品
我們采用先進(jìn)的高精度線切割設(shè)備和高平面度研磨拋光設(shè)備，通過(guò)CMP拋光、清洗和包裝等工藝為外延生產(chǎn)商提供高品質(zhì)的EPI-Ready襯底，這些產(chǎn)品在光電器件、射頻器件和功率器件領(lǐng)域都具有廣泛的應(yīng)用。
砷化鎵襯底
砷化鎵（GaAs）是一種性能優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，具有直接帶隙、電子遷移率高、高頻低噪聲、轉(zhuǎn)換效率高等特點(diǎn)。我們可提供使用VGF法生長(zhǎng)的的1-8英寸的砷化鎵襯底，包括半絕緣砷化鎵襯底（非摻）和半導(dǎo)體砷化鎵襯底（摻Si、摻Zn）。
應(yīng)用與領(lǐng)域:砷化鎵襯底廣泛應(yīng)用于紅黃光LED和顯示產(chǎn)品中，隨著Mini LED、Micro LED的發(fā)展， AR/VR領(lǐng)域也 會(huì)有越來(lái)越多使用砷化鎵襯底。以半絕緣砷化鎵襯底生產(chǎn)的射頻器件，廣泛應(yīng)用于無(wú)線通訊領(lǐng)域，包括無(wú)線網(wǎng)絡(luò)(WLAN)、手機(jī)通訊、4G/5G基站、衛(wèi)星通訊、WiFi通訊等。砷化鎵太陽(yáng)能電池板具有更高的轉(zhuǎn)化效率，目前廣泛 應(yīng)用于無(wú)人機(jī)、太陽(yáng)能汽車領(lǐng)域等。
砷化鎵襯底GaAs產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)
磷化銦襯底
磷化銦（InP）是重要的III-V族化合物半導(dǎo)體之一，具有電子遷移率高、耐輻射性能好、禁帶寬度大等優(yōu)點(diǎn)。我們可提供使用VGF法生長(zhǎng)2-6 英寸磷化銦(InP)襯底，包括半絕緣InP襯底（摻Fe）和半導(dǎo)體InP襯底（摻Si或摻Zn），以及用于特定用途的低位錯(cuò)InP襯底。
應(yīng)用與領(lǐng)域:磷化銦在光電器件方面具有很好的性能，常被用于制造高速光通信器件，如激光器、光電二極管和光放大器等。此外，磷化銦還可以用來(lái)制造高頻器件，如太赫茲波段的探測(cè)器和射頻電子學(xué)領(lǐng)域的倍頻器等。由于其高的光電轉(zhuǎn)換效率和較好的耐輻照性能，磷化銦被廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池的制造中。磷化銦太陽(yáng)能電池具有高轉(zhuǎn)換效率照強(qiáng)度變化響應(yīng)迅速、光譜響應(yīng)范圍廣等勢(shì)，能夠在弱光條件下保持較高的效能，在太陽(yáng)能電池的應(yīng)用中具有重要的地位。
磷化銦襯底Inp產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)
鍺襯底
鍺單晶片是重要的半導(dǎo)體襯底材料，有著良好的半導(dǎo)體性質(zhì)，如電子遷移率、空穴遷移率等。我們可提供直徑為2-8英寸的低位錯(cuò)或零位錯(cuò)鍺（Ge）襯底，其電阻率在0.005 Ω?cm～50Ω?cm范圍。
應(yīng)用與領(lǐng)域：高質(zhì)量的襯底主要被用于聚光光伏電站（CPV）、空間太陽(yáng)能電池板和超高亮度LED等領(lǐng)域。鍺基太陽(yáng)能電池具有空間抗輻射、耐高溫、高光電轉(zhuǎn)換效率等特點(diǎn)，在人造衛(wèi)星、太空站、太空探測(cè)器和登陸探測(cè)器等應(yīng)用領(lǐng)域具有很強(qiáng)的優(yōu)勢(shì)，可有效提高太陽(yáng)能電池的壽命，進(jìn)而延長(zhǎng)人造衛(wèi)星的工作壽命。
鍺襯底Ge Wafer產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)
